第830章 晶片进展2（1/2）

设计负责人脸上的自豪感褪去，变得凝重起来。

他看向了工艺整合负责人和设计-工艺產品线总裁孟良凡。

冯庭波適时接话：

“尘风总问到了核心。

设计只是蓝图，製造才是將蓝图变为现实的关键。

下面，就请工艺团队和孟总，为我们揭示『猎人』晶片在14nm finfet平台上的真实情况。”

工艺整合负责人深吸一口气，站了起来。

他操作投影，画面切换到了一张令人眼花繚乱的多维度图表：14nm finfet工艺平台良率追踪图。

上面布满了各种顏色的曲线，代表著不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。

“姚总的问题非常直接，我也直接回答。”他的声音努力保持平静，但能听出紧张。

“『猎人』晶片，是基於我们华兴eda团队与海思共同开发的新一代pdk进行设计和仿真的。

其仿真模型，大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际產线的早期数据。”

他指向图表的核心区域，一条原本剧烈波动但近期逐渐趋於平稳的曲线：

“这就是『猎人』晶片核心计算模块的mpw试產良率趋势。

经过五轮艰苦的工艺叠代和设计优化，其综合良率，已从最初的令人绝望的31%，提升並稳定在68.5%。

最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以內。”

“68.5%？”姚尘风身体前倾，手指停止了敲击，语气中混合著惊讶和欣喜。

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“如果我没记错，上次季度匯报，这个数字还在45%徘徊。

这个爬坡速度，超出了我们內部的预期。

怎么做到的？”

“是的，姚总，提升速度確实超预期。”负责人语气肯定，也有振奋。

“突破主要来自三个方面：

首先是孟总团队带来的finfet三维鰭片形状和应力工程的精確调控模型，优化了载流子迁移率，显著降低了漏电流，这是提升良率和能效的基础。”

“其次，是在后段互连环节，我们和中芯国际的伙伴共同攻关，採用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质，有效降低了rc延迟和整体晶片功耗。”

“而第三点，至关重要，”他提高了音量，目光转向陈默。

“陈总领导的eda团队，提供了更新一代、精度更高的pdk和仿真模型。

特別是其中的化学机械拋光（cmp）建模和面向製造的设计（dfm）规则检查，让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在製造热点（hotspot）和天线效应问题。

这大大减少了流片后的反覆次数，缩短了良率爬升周期。

可以说，是设计和工具的进步，反向拉动了製造工艺的成熟。”

孟良凡这时推了推眼镜，严谨底补充道：

“庭波总、陈总、姚总，68.5%的良率，对於一条完全依靠我们自身技术力量摸索、且受到诸多外部限制的14nm finfet工艺线而言，是一个里程碑，它证明了技术路线的可行性。

这標誌著我们已初步掌握了中端性能晶片的自主可控设计製造能力。”

他话锋一转，依旧保持著客观：